图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPx65R660CFD |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 650V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 200µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 22nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 615pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 62.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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